IKW75N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 390 руб.
Плати частями
от 1 099 руб. × 4 платежа
от 1 099 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation cool SiCTMS schottky barrier diode.
Технические параметры
Configuration | Single |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 15V |
Maximum Power Dissipation | 395 W |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | PG-TO247-3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 80А |
Power Dissipation | 395Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKW75N65SS5XKSA1
pdf, 1570 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов