IKW75N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3

Фото 1/2 IKW75N65SS5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 390 руб.
Плати частями
от 1 099 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8020243314
Артикул: IKW75N65SS5XKSA1

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation cool SiCTMS schottky barrier diode.

Технические параметры

Configuration Single
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 75 A
Maximum Gate Emitter Voltage 15V
Maximum Power Dissipation 395 W
Number of Transistors 2
Package Type PG-TO247-3
Collector Emitter Saturation Voltage 1.35В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 80А
Power Dissipation 395Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet IKW75N65SS5XKSA1
pdf, 1570 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов