P22F10SN-5600, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 22А, Idm: 66А, 35Вт
![Фото 1/2 P22F10SN-5600, Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 22А, Idm: 66А, 35Вт](https://static.chipdip.ru/lib/455/DOC044455053.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/823/DOC038823444.jpg)
3 шт. со склада г.Москва
250 руб.
1 шт.
на сумму 250 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET, EETMOS3, полевой, 100В, 22А, Idm: 66А, 35Вт Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Case | FTO-220AG(SC91) |
Drain current | 22A |
Drain-source voltage | 100V |
Gate charge | 34nC |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | bulk |
Manufacturer | SHINDENGEN |
Mounting | THT |
On-state resistance | 28mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 35W |
Pulsed drain current | 66A |
Technology | EETMOS3 |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 11076 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.