DG10X12T2, Транзистор: IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
56 шт., срок 6 недель
740 руб.
от 3 шт. —
610 руб.
от 10 шт. —
474 руб.
от 30 шт. —
407.09 руб.
1 шт.
на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Case | TO247 |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 80nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 96W |
| Pulsed collector current | 30A |
| Turn-off time | 493ns |
| Turn-on time | 37ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 20А |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 6.14 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 474 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
