FQA70N10, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 49,5А, 214Вт, TO3PN, QFET®
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
1 шт.
на сумму 270 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3PN |
| Pin Count | 3 |
| Series | QFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Width | 5mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
