QS6J11TR, Транзистор: P-MOSFET x2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2065 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

55 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 31 руб.

от 150 шт. — 28 руб.

от 500 шт. — 22.97 руб.

5 шт. на сумму 275 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8020311813

Артикул: QS6J11TR

Бренд: Rohm

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Forward Diode Voltage	1.2V
Maximum Continuous Drain Current	2 A
Maximum Drain Source Resistance	400 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	12 V
Maximum Gate Source Voltage	-10 V, +10 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum Gate Threshold Voltage	0.3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	TSMT-6
Pin Count	6
Series	QS6J11
Transistor Configuration	Dual Base
Typical Gate Charge @ Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Width	1.8mm
Вес, г	0.1