IKZ75N65ES5XKSA1 Single IGBT, 80 A 1.42 V PG-TO247-4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 780 руб.
Кратность заказа 30 шт.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 53 400 руб.
Плати частями
от 13 350 руб. × 4 платежа
от 13 350 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon IKZ series is the 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO 247 package. Hard-switching 650 V, 75 A high speed TRENCHSTOP 5 S5 IGBT in TO 247-4 package with an extra Kelvin emitter pin.
Технические параметры
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1.42 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 395 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO247-4 |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.42 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: | 240 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-4 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | IKZ75N65ES5 SP001602592 |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1406 КБ
Datasheet IKZ75N65ES5XKSA1
pdf, 1427 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
