T850H-6G-TR, D2PAK TRIACs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
520 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate Trigger Current - Igt: | 50 mA |
Gate Trigger Voltage - Vgt: | 1 V |
Holding Current Ih Max: | 75 mA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Non Repetitive On-State Current: | 84 A |
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: | 5 uA |
On-State Voltage: | 1.5 V |
Package/Case: | D2PAK |
Product Category: | Triacs |
Product Type: | Triacs |
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: | 600 V |
Series: | H-Series |
Subcategory: | Thyristors |
Tradename: | Snubberless |
Peak On State Voltage | 1.5В |
Thyristor Mounting | Surface Mount |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Snubberless T8 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt | 1В |
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt | 50мА |
Максимальный Ток Удержания Ih | 75мА |
Пиковая Мощность Затвора | 1Вт |
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm | 600В |
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц | 80А |
Стиль Корпуса Симистора | TO-263 |
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms) | 8А |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1.87 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.