STGWA40H65DFB2, Transistor: IGBT; 650V; 45A; 230W; TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

142 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели

1 040 руб.

от 10 шт. — 830 руб.

от 30 шт. — 713 руб.

от 90 шт. — 615.48 руб.

1 шт. на сумму 1 040 руб.

Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8020506826

Артикул: STGWA40H65DFB2

The STMicroelectronics high-speed HB2 series IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	40 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	230 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	3
Transistor Configuration	Common Emitter
Вес, г	6.14