2N7002HWX, 60V 300mA 5Ohm@500mA,10V 830mW N Channel TO-236AB MOSFETs
![2N7002HWX, 60V 300mA 5Ohm@500mA,10V 830mW N Channel TO-236AB MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288656.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2905 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 недели
46 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
28 руб.
от 150 шт. —
24 руб.
от 500 шт. —
18.92 руб.
5 шт.
на сумму 230 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1Ом |
Power Dissipation | 260мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Trench Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 310мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.75В |
Стиль Корпуса Транзистора | SC-70 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.