N-Channel MOSFET, 60 A, 100 V, 8-Pin HSOP8 RS1P600BHTB1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 шт., срок 6 недель
610 руб.
1 шт.
на сумму 610 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM Nch power MOSFET which are available in small surface mount package and can be used in primary side switch, motor drives and DC/DC converter applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | HSOP8 |
| Pin Count | 8 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0067Ом |
| Power Dissipation | 35Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HSOP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2752 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
