N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB R6520KNX3C16
![Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin TO-220AB R6520KNX3C16](https://static.chipdip.ru/lib/798/DOC028798439.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
42 шт., срок 6 недель
940 руб.
Кратность заказа 2 шт.
2 шт.
на сумму 1 880 руб.
Плати частями
от 470 руб. × 4 платежа
от 470 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 20 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Drain Source On State Resistance | 0.185Ом |
Power Dissipation | 220Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 20А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6520KNX3C16
pdf, 2286 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.