PJD50N10AL-AU_L2_000A1, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2713 шт., срок 5-7 недель
280 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
от 100 шт. —
158 руб.
от 500 шт. —
124.72 руб.
1 шт.
на сумму 280 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42 A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252AA-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28.5 mOhms |
| Rise Time: | 30 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, кг | 37.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 375 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
