IKW30N60DTPXKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт

Фото 1/3 IKW30N60DTPXKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
840 руб.
от 4 шт.760 руб.
от 7 шт.708 руб.
от 13 шт.683 руб.
1 шт. на сумму 840 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8020629521
Артикул: IKW30N60DTPXKSA1

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30А, 200 Вт

Технические параметры

Корпус PG-TO247-3-46
Channel Type N
Energy Rating 1.13mJ
Gate Capacitance 1050pF
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 53 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 200 W
Minimum Operating Temperature -40 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Transistors 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Switching Speed 30kHz
Transistor Configuration Single
Вес, г 8.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IKW30N60DTPXKSA1
pdf, 1541 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов