G3R30MT12J, Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт
![Фото 1/2 G3R30MT12J, Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC029220052.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/389/DOC035389187.jpg)
10 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
5 790 руб.
от 2 шт. —
5 530 руб.
от 3 шт. —
5 440 руб.
1 шт.
на сумму 5 790 руб.
Плати частями
от 1 449 руб. × 4 платежа
от 1 449 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы на основе карбида кремния (SIC)
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт
Технические параметры
Корпус | TO-263-7 | |
Channel Type | N Channel | |
Drain Source On State Resistance | 0.03Ом | |
Power Dissipation | 459Вт | |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) | |
Конфигурация МОП-транзистора | Single | |
Линейка Продукции | G3R | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В | |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ | |
Непрерывный Ток Стока | 96А | |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.69В | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) | |
Вес, г | 2.42 |
Техническая документация
Datasheet G3R30MT12J
pdf, 1323 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.