IKZA75N65SS5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
![Фото 1/3 IKZA75N65SS5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А](https://static.chipdip.ru/lib/970/DOC029970013.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/484/DOC035484021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071281.jpg)
2 490 руб.
от 2 шт. —
2 390 руб.
от 3 шт. —
2 370 руб.
от 4 шт. —
2 320 руб.
1 шт.
на сумму 2 490 руб.
Плати частями
от 624 руб. × 4 платежа
от 624 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 650В 75А
Технические параметры
Корпус | TO-247-4L | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В | |
Collector Emitter Voltage Max | 650В | |
Continuous Collector Current | 80А | |
Power Dissipation | 395Вт | |
Количество Выводов | 4вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 S5 CoolSiC Gen VI | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 | |
Вес, г | 8.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1437 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов