SMUN5314DW1T1G, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT,дополнительная пара; 50В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

56 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 25 шт. — 44 руб.

от 100 шт. — 38 руб.

от 500 шт. — 28.65 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 280 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8020736513

Артикул: SMUN5314DW1T1G

Semiconductors\Transistors\Bipolar transistors\Complementary transistors

80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 187mW 100mA 50V 500nA SOT-363 Digital Transistors ROHS

Application	automotive industry
Base resistor	10kΩ
Base-emitter resistor	47kΩ
Case	SC70-6, SC88, SOT363
Collector current	0.1A
Collector-emitter voltage	50V
Current gain	80…140
Kind of package	reel, tape
Kind of transistor	BRT, complementary pair
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
Polarisation	bipolar
Power dissipation	0.25W
Type of transistor	NPN/PNP
Brand	ON Semiconductor
Factory Pack Quantity	3000
Packaging	Cut Tape or Reel
Product Category	Diodes-General Purpose, Power, Switching
Product Type	Diodes-General Purpose, Power, Switching
Qualification	AEC-Q101
Series	MUN5314DW1
Subcategory	Diodes и Rectifiers
Collector Current (Ic)	100mA
Collector Cut-Off Current (Icbo)	500nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)	250mV@10mA, 300uA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	80@5mA, 10V
Power Dissipation (Pd)	187mW
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP-Pre-Biased
Transition Frequency (fT)	-
Вес, г	0.02