IKB40N65ES5ATMA1 IGBT, 79 A 650 V, 3-Pin PG-TO263-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 580 руб.

Кратность заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 160 руб.

Плати частями
от 790 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8020757391

Артикул: IKB40N65ES5ATMA1

Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs

The Infineon high speed switching series fifth generation insulated-gate bipolar transistor. High Efficiency

Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	79 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30 V
Maximum Power Dissipation	230 W
Package Type	PG-TO263-3
Pin Count	3
Вес, г	1

pdf, 1546 КБ

Мы рекомендуем