N-Channel MOSFET, 43 A, 1200 V TO-247N SCT4036KEHRC11

Фото 1/2 N-Channel MOSFET, 43 A, 1200 V TO-247N SCT4036KEHRC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
450 шт., срок 6 недель
3 800 руб.
Кратность заказа 450 шт.
450 шт. на сумму 1 710 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8020819201
Артикул: SCT4036KEHRC11
Бренд: Rohm

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM Automotive grade N-channel SiC power MOSFET is an AEC-Q101 qualified product. This power MOSFET applicable in an automobile and switch mode power supplies.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 43 A
Maximum Drain Source Voltage 1200 V
Mounting Type Through Hole
Package Type TO-247N
Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 450
Fall Time: 12 ns
Forward Transconductance - Min: 11 S
Id - Continuous Drain Current: 43 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +175 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247N-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: SCT4036KEHR
Pd - Power Dissipation: 176 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 91 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 36 mOhms
Rise Time: 28 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: SiC
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 31 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs - Gate-Source Voltage: -4 V, +21 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.8 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1376 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.