N-Channel MOSFET, 43 A, 1200 V TO-247N SCT4036KEHRC11
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 шт., срок 6 недель
3 800 руб.
Кратность заказа 450 шт.
450 шт.
на сумму 1 710 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The ROHM Automotive grade N-channel SiC power MOSFET is an AEC-Q101 qualified product. This power MOSFET applicable in an automobile and switch mode power supplies.
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 43 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-247N |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 450 |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance - Min: | 11 S |
Id - Continuous Drain Current: | 43 A |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247N-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | SCT4036KEHR |
Pd - Power Dissipation: | 176 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 91 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms |
Rise Time: | 28 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | SiC |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -4 V, +21 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.8 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.