RF4P025ATTCR, MOSFETs RF4P025AT is a low on-resistance MOSFET suitable for switching and load switches.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2868 шт., срок 5-7 недель
260 руб.
от 10 шт. —
210 руб.
от 100 шт. —
141 руб.
от 500 шт. —
106.28 руб.
1 шт.
на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Silicon Power MOSFETsROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 49 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3.6 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DFN-8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 280 mOhms |
| Rise Time: | 7.9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
