GNP1070TC-ZE2, GaN FETs NCH 650V 20A ESD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7780 шт., срок 5-7 недель
2 410 руб.
от 10 шт. —
1 950 руб.
от 25 шт. —
1 850 руб.
от 100 шт. —
1 413.15 руб.
1 шт.
на сумму 2 410 руб.
Плати частями
от 604 руб. × 4 платежа
от 604 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 8.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DFN-8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 56 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 98 mOhms |
| Rise Time: | 6.9 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | GaN |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 918 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
