GNP1150TCA-ZE2, GaN FETs NCH 650V 11A ESD

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7719 шт., срок 5-7 недель

1 480 руб.

от 10 шт. — 1 150 руб.

от 25 шт. — 1 050 руб.

от 100 шт. — 840.01 руб.

1 шт. на сумму 1 480 руб.

Плати частями
от 370 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8020902273

Артикул: GNP1150TCA-ZE2

Бренд: Rohm

Unclassified

Brand:	ROHM Semiconductor
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	8.3 ns
Id - Continuous Drain Current:	11 A
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	DFN8080AK-8
Packaging:	Reel, Cut Tape
Pd - Power Dissipation:	62.5 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	2.7 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	195 mOhms
Rise Time:	5.3 ns
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	GaN
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	6.2 ns
Typical Turn-On Delay Time:	4.7 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-10 V, +6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Вес, г	1

pdf, 888 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем