SMPJ177TR, JFETs JFET P-Channel 30V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
499 шт., срок 5-7 недель
800 руб.
от 10 шт. —
630 руб.
от 25 шт. —
583 руб.
от 100 шт. —
452.69 руб.
1 шт.
на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | InterFET |
Configuration: | Single |
Drain-Source Current at Vgs=0: | -20 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gate-Source Cutoff Voltage: | 2.25 V |
Id - Continuous Drain Current: | -10 nA |
Manufacturer: | InterFET |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 300 Ohms |
Series: | SMPJ177 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | -15 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.