IKA15N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 14А, 33,3Вт, PG-TO220-3-FP

Фото 1/3 IKA15N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 14А, 33,3Вт, PG-TO220-3-FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530 руб.
от 10 шт.400 руб.
от 50 шт.347 руб.
от 100 шт.324.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 530 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8021106632
Артикул: IKA15N65H5XKSA1

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IKA15N65H5XSA1 от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный IGBT транзистор с максимальным током коллектора 14 А и напряжением коллектор-эмиттер 650 В. Этот полупроводниковый компонент гарантирует эффективную работу при мощности 33,3 Вт, обеспечивая надежное решение для разнообразных электронных схем. Монтаж выполнен в технологии THT, что облегчает пайку и установку в широком диапазоне устройств. Корпус PG-TO220-3-FP оптимизирован для эффективного отвода тепла и удобства монтажа. Используя IKA15N65H5XKSA1 в своих электронных проектах, вы получите надежный компонент от известного производителя, способный выдерживать высокие нагрузки. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 14
Напряжение коллектор-эмиттер, В 650
Мощность, Вт 33.3
Корпус PG-TO220-3-FP

Технические параметры

Base Product Number IKA15N65 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 14A
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
ECCN EAR99
Gate Charge 38nC
HTSUS 8541.29.0095
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-220-3
Power - Max 33.3W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 48ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series TrenchStopВ® ->
Supplier Device Package TO-220-3
Switching Energy 120ВµJ (on), 50ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 17ns/160ns
Test Condition 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Brand: Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.65 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 14 A
Factory Pack Quantity: 500
Gate-Emitter Leakage Current: 100 nA
Manufacturer: Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-220FP-3
Packaging: Tube
Part # Aliases: IKA15N65H5 SP001001724
Pd - Power Dissipation: 33.3 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V
Maximum Continuous Collector Current 15 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation 33.3 W
Number of Transistors 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Вес, г 3.27

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2278 КБ
Datasheet
pdf, 2352 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов