IKA15N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 14А, 33,3Вт, PG-TO220-3-FP
![Фото 1/3 IKA15N65H5XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 14А, 33,3Вт, PG-TO220-3-FP](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758101.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071263.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/396/DOC043396555.jpg)
530 руб.
от 10 шт. —
400 руб.
от 50 шт. —
347 руб.
от 100 шт. —
324.94 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 530 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IKA15N65H5XSA1 от производителя INFINEON представляет собой высокопроизводительный IGBT транзистор с максимальным током коллектора 14 А и напряжением коллектор-эмиттер 650 В. Этот полупроводниковый компонент гарантирует эффективную работу при мощности 33,3 Вт, обеспечивая надежное решение для разнообразных электронных схем. Монтаж выполнен в технологии THT, что облегчает пайку и установку в широком диапазоне устройств. Корпус PG-TO220-3-FP оптимизирован для эффективного отвода тепла и удобства монтажа. Используя IKA15N65H5XKSA1 в своих электронных проектах, вы получите надежный компонент от известного производителя, способный выдерживать высокие нагрузки. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 14 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
Мощность, Вт | 33.3 |
Корпус | PG-TO220-3-FP |
Технические параметры
Base Product Number | IKA15N65 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 14A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 38nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power - Max | 33.3W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 48ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | TrenchStopВ® -> |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Switching Energy | 120ВµJ (on), 50ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 17ns/160ns |
Test Condition | 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 14 A |
Factory Pack Quantity: | 500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-220FP-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IKA15N65H5 SP001001724 |
Pd - Power Dissipation: | 33.3 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 15 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Power Dissipation | 33.3 W |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 3.27 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов