FP75R12N3T7BPSA1 IGBT, 75 A 1200 V
![FP75R12N3T7BPSA1 IGBT, 75 A 1200 V](https://static.chipdip.ru/lib/910/DOC029910618.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 070 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 410 700 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon FP75 series is a EconoPIM 3 module with IGBT and emitter controlled diode and NTC. Overload operation up to 175°C
Технические параметры
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1510 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем