IGP15N60T, Транзистор БТИЗ, 600В, 23А, 130Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
от 10 шт. —
260 руб.
от 50 шт. —
229 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 340 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 26 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | SP000683044 IGP15N6TXK IGP15N60TXKSA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 130 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | TRENCHSTOP IGBT |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Case | TO220-3 |
| Collector current | 23A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 130W |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 2.033 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
