Вид	MOSFET
Тип	полевой
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	4.5В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	2.7А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	900мВ
Рассеиваемая Мощность	960мВт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.08Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SuperSOT
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.7 A
Maximum Drain Source Resistance	128 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	960 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOT-23
Pin Count	6
Series	PowerTrench
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	3.5 nC @ 4.5 V
Width	1.7mm
Вес, г	0.025

FDC6305N, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 20В, 2,7А, 0,96Вт, SuperSOT-6