GD450HFY120C6S, IGBT модуль
![Фото 1/2 GD450HFY120C6S, IGBT модуль](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC017514562.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/822/DOC034822247.jpg)
11 шт. со склада г.Москва, срок 2-3 недели
12 710 руб.
от 5 шт. —
12 560 руб.
от 10 шт. —
12 420 руб.
1 шт.
на сумму 12 710 руб.
Плати частями
от 3 179 руб. × 4 платежа
от 3 179 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1200 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
Структура модуля | полумост |
Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.