DG40X12T2, Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
![DG40X12T2, Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247](https://static.chipdip.ru/lib/598/DOC043598114.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
332 шт. со склада г.Москва, срок 8 дней
630 руб.
от 5 шт. —
540 руб.
от 10 шт. —
502 руб.
от 19 шт. —
472 руб.
1 шт.
на сумму 630 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT 1200В 80А 487Вт TO-247
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В | |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ | |
Continuous Collector Current | 80А | |
Power Dissipation | 487Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Линейка Продукции | DOSEMI Trench | |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 | |
Вес, г | 7.55 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.