FQPF9N90CT, Транзистор: N-MOSFET

Фото 1/3 FQPF9N90CT, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
870 руб.
1 шт. на сумму 870 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8021354315
Артикул: FQPF9N90CT

Описание

Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 8 A
Pd - рассеивание мощности 68 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 900 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 120 ns
Время спада 75 ns
Высота 16.3 mm
Длина 10.67 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FQPF9N90C
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 100 ns
Типичное время задержки при включении 50 ns
Торговая марка ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.7 mm
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 8 A
Maximum Drain Source Resistance 1.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage 900 V
Maximum Gate Source Voltage -30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 68 W
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220F
Pin Count 3
Series QFET
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 45 nC @ 10 V
Width 4.9mm
Вес, г 2.27

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1047 КБ
Datasheet FQPF9N90CT
pdf, 1201 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов