FQPF9N90CT, Транзистор: N-MOSFET
![Фото 1/3 FQPF9N90CT, Транзистор: N-MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/828/DOC043828082.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/700/DOC021700575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
870 руб.
1 шт.
на сумму 870 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Транзисторы
Описание Транзистор: N-MOSFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Pd - рассеивание мощности | 68 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 900 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 120 ns |
Время спада | 75 ns |
Высота | 16.3 mm |
Длина | 10.67 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FQPF9N90C |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 100 ns |
Типичное время задержки при включении | 50 ns |
Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 1.4 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 68 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220F |
Pin Count | 3 |
Series | QFET |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
Width | 4.9mm |
Вес, г | 2.27 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов