BCP53-16T1G, , Транзистор биполярный PNP , 80В, 1А, корпус SOT-223

Фото 1/10 BCP53-16T1G, , Транзистор биполярный PNP , 80В, 1А, корпус SOT-223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 200 шт.14 руб.
100 шт. на сумму 1 500 руб.
Плати частями
от 375 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Номенклатурный номер: 8021376941
Артикул: BCP53-16T1G

Описание

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы биполярные
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А

Технические параметры

MSL(Уровень чувствительности к влажности) 1
Корпус SOT-223
Коэффициент усиления hFE мин. 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1.5
Максимальный постоянный ток коллектора, А 1.5
Тип проводимости PNP
Упаковка 1000
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 1.5
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 100
Minimum DC Current Gain 25@5mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 1500
Maximum Transition Frequency (MHz) 50(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 4
Supplier Package SOT-223
Standard Package Name SOT-223
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.57
Package Length 6.5
Package Width 3.5
PCB changed 3
Tab Tab
Lead Shape Gull-wing
Pd - рассеивание мощности 1.5 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.57 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1.5 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1.5 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP53
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
Hfe при напряжении к-э, В 2
Hfe при токе коллектора, А 0.15
Диапазон рабочих температур, оС -65…150
Статический коэффициент передачи тока hfe мин 100
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Voltage -80 V
Maximum DC Collector Current -1.5 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Frequency 50 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 1.5 W
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-223(SC-73)
Transistor Configuration Single
Transistor Type PNP
Вес, г 0.22

Техническая документация

Datasheet
pdf, 72 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
BCP53 Series
pdf, 73 КБ