IKA08N65H5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 10,8А, 31,2Вт, TO220FP, Серия H5
![Фото 1/2 IKA08N65H5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 10,8А, 31,2Вт, TO220FP, Серия H5](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752582.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC045071263.jpg)
420 руб.
от 10 шт. —
320 руб.
от 50 шт. —
276 руб.
от 100 шт. —
255.84 руб.
1 шт.
на сумму 420 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор модуль IKA08N65H5XKSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный IGBT транзистор с монтажом THT, предназначенный для эффективного управления мощностью. Ток коллектора достигает 10,8 А, что обеспечивает отличную производительность. Напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, а мощность транзистора равна 31,2 Вт, что делает его идеальным выбором для различных электронных применений. Корпус PG-TO220-3-FP гарантирует надежность и долговечность при эксплуатации. Уникальный код товара IKA08N65H5XKSA1 без лишних символов превращается в IKA08N65H5XKSA1, что упрощает поиск и заказ на сайте. Этот транзистор представляет собой оптимальное решение для систем, требующих мощных и надежных компонентов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | модуль |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 10.8 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
Мощность, Вт | 31.2 |
Корпус | PG-TO220-3-FP |
Технические параметры
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1899-12-31 08:00:00 |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
Maximum Power Dissipation | 31.2 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 3.25 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2335 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов