BC859C,215, Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
69 шт. со склада г.Москва
13 руб.
от 10 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 13 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 250мВт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Другие названия товара № | 933628690215 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 at 2 mA, 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 420 at 2 mA, 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Base Product Number | BC859 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 250mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Brand | Nexperia |
Collector- Base Voltage VCBO | 30 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 420 at 2 mA at 5 V |
DC Current Gain hFE Max | 420 at 2 mA at 5 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
Height | 1 mm |
Length | 3 mm |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | /T3 BC859C |
Pd - Power Dissipation | 250 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Transistor Polarity | PNP |
Width | 1.4 mm |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.