FF450R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module, 450 A 1200 V AG-ECONOD, Chassis Mount
![FF450R12ME7B11BPSA1 Dual IGBT Module, 450 A 1200 V AG-ECONOD, Chassis Mount](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC031153299.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
47 140 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 471 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The Infineon has EconoDUAL 1200 V, 450 A dual TRENCHSTOP IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology.
Технические параметры
Configuration | Dual |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
Maximum Power Dissipation | 20 mW |
Mounting Type | Chassis Mount |
Number of Transistors | 2 |
Package Type | AG-ECONOD |
Transistor Configuration | Series |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF450R12ME7B11BPSA1
pdf, 576 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов