IRFDC20
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
от 2 шт. —
530 руб.
от 5 шт. —
455 руб.
от 10 шт. —
421.25 руб.
1 шт.
на сумму 650 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Категория продукта
N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:320mA, Drain Source Voltage Vds:600V, On Resistance Rds(on):4.4ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, No. of Pins:4, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 320 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.4 Ohms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 23 ns |
| Время спада | 23 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | HexDIP-4 |
| Qg - заряд затвора | 18 nC |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Серия | IRFDC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Base Product Number | IRFDC20 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 320mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4Ohm @ 190mA, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet IRFDC20PBF
pdf, 407 КБ
Datasheet IRFDC20PBF
pdf, 1182 КБ
Документация
pdf, 1182 КБ
Аналоги микросхем для бытовой РЭА
pdf, 80 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы для бытовой РЭА»
Типы корпусов импортных микросхем
