GD300HFX170C2S, IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм
![Фото 1/2 GD300HFX170C2S, IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм](https://static.chipdip.ru/lib/790/DOC032790046.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/134/DOC035134580.jpg)
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
12 680 руб.
от 2 шт. —
12 490 руб.
1 шт.
на сумму 12 680 руб.
Плати частями
от 3 170 руб. × 4 платежа
от 3 170 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
IGBT модуль 1700B 300А 2 in one-package 62мм
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 493А |
DC Ток Коллектора | 493А |
Power Dissipation | 1.829кВт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 1.829кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD300HFX170C2S
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Компараторы»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.