GD450HFX170C6S, IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package
![Фото 1/2 GD450HFX170C6S, IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package](https://static.chipdip.ru/lib/790/DOC032790127.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066905.jpg)
2 шт. со склада г.Москва, срок 8-10 дней
18 430 руб.
от 2 шт. —
17 910 руб.
1 шт.
на сумму 18 430 руб.
Плати частями
от 4 609 руб. × 4 платежа
от 4 609 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT
IGBT модуль 1700B 450А 2 in one-package
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 706А |
DC Ток Коллектора | 706А |
Power Dissipation | 2.542кВт |
Выводы БТИЗ | Press Fit |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 2.542кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet GD450HFX170C6S
pdf, 202 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.