IKP15N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В, 18А, 52,5Вт, TO220-3, Серия: H5
![Фото 1/5 IKP15N65F5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В, 18А, 52,5Вт, TO220-3, Серия: H5](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752582.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/330/DOC005330091.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/356/DOC021356288.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
600 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 50 шт. —
394 руб.
от 100 шт. —
366.34 руб.
1 шт.
на сумму 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 18А, 52,5Вт, TO220-3, Серия: H5 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 15А |
Power Dissipation | 105Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Channel Type | N |
Energy Rating | 0.17mJ |
Gate Capacitance | 930pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 30 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 105 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов