NTR4171PT1G, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 1,25Вт, SOT23-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

96 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 69 руб.

от 100 шт. — 52 руб.

5 шт. на сумму 480 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8021863717

Артикул: NTR4171PT1G

Транзисторы

Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 1,25Вт, SOT23-3 Характеристики

Вид	MOSFET
Тип	полевой
Case	SOT23
Drain current	-1.5A
Drain-source voltage	-30V
Gate charge	7.4nC
Gate-source voltage	±12V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	ONSEMI
Mounting	SMD
On-state resistance	0.15Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	1.25W
Type of transistor	P-MOSFET
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	3.5 A
Maximum Drain Source Resistance	150 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Maximum Gate Source Voltage	-12 V, +12 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.25 W
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.04