FDD6N25TM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 2,6А, 0,05Вт, TO252
![FDD6N25TM, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 2,6А, 0,05Вт, TO252](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735670.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Описание Транзистор полевой FDD6N25TM от производителя ONSEMI — это высоковольтный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в электронных схемах. Устройство обеспечивает ток стока до 4,4 А и может выдерживать напряжение сток-исток до 250 В, что делает его идеальным для различных применений, требующих высокого напряжения и умеренного тока. С мощностью всего 0,05 Вт и удобной SMD-упаковкой в корпусе TO252, этот транзистор гарантирует надежную и эффективную работу в компактных устройствах. Продукт FDD6N25TM гарантирует стабильность и долговечность благодаря качеству ONSEMI. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 4.4 |
Напряжение сток-исток, В | 250 |
Мощность, Вт | 0.05 |
Корпус | TO252 |
Технические параметры
Вес, г | 0.907 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов