FDMQ86530L
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 230 руб.
от 2 шт. —
1 140 руб.
1 шт.
на сумму 1 230 руб.
Плати частями
от 309 руб. × 4 платежа
от 309 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, WDFN-12; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Powe
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Quad |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Package / Case: | MLP-12 |
| Pd - Power Dissipation: | 22 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17.5 mOhms |
| Series: | FDMQ86530L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 4 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 332 КБ
Datasheet FDMQ86530L
pdf, 334 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
