IRF830, PBF полевой транзистор (MOSFET), N-канал, 550 В, 4 А, TO-220

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

250 шт. со склада г.Москва, срок 3 дня

32 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 100 шт. — 30 руб.

от 200 шт. — 28 руб.

50 шт. на сумму 1 600 руб.

Плати частями
от 400 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8021967906

Артикул: IRF830

ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные

500V 4.5A 1.5Ω@10V,2.7A 74W 4V@250uA 1PCSNChannel TO-220AB MOSFETs ROHS

Корпус	to-220
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	560
Заряд затвора, нКл	12
Максимальное напряжение сток-исток, В	550
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	2200
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Упаковка	50
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584646/1000
Continuous Drain Current (Id)	4.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	1.5Ω@2.7A, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	500V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	4V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	610pF@25V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	74W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	38nC@10V
Type	1PCSNChannel
Вес, г	2