FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
41 650 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 41 650 руб.
Плати частями
от 10 414 руб. × 4 платежа
от 10 414 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTs
The infineon IGBT modules with fast trench/fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode are the right choice for your design it is suitable for typical applications like high frequency switching applications motor drives, UPS systems.
Технические параметры
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 790 W |
| Number of Transistors | 1 |
Техническая документация
Datasheet FD150R12RT4HOSA1
pdf, 668 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
