AO4435, полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -10,5 А, SOP-8
![AO4435, полевой транзистор (MOSFET), P-канал, -30 В, -10,5 А, SOP-8](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395260.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4700 шт. со склада г.Москва
10 руб.
Кратность заказа 100 шт.
от 400 шт. —
8.60 руб.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 1 000 руб.
Плати частями
от 250 руб. × 4 платежа
от 250 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
SOP-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Корпус | SOP-8 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 1230 | |
Заряд затвора, нКл | 26.4 | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | -30 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | -10, 5 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 13.5 | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | P | |
Упаковка | REEL, 3000 шт. | |
Continuous Drain Current (Id) | 9A | |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V, 7A | |
Drain Source Voltage (Vdss) | 30V | |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.175nF@25V | |
Power Dissipation (Pd) | 2.5W | |
Type | P Channel | |
Вес, г | 0.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 946 КБ
Документация
pdf, 936 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.