C3M0280090J-TR, Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2400 шт., срок 5-7 недель
870 руб.
Кратность заказа 800 шт.
800 шт.
на сумму 696 000 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quint Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Material | SiC |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 11 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 360@15V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 900 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 250 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 18 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.5 |
Maximum IDSS (uA) | 100 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 50000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
PCB changed | 7 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Process Technology | C3M |
Product Category | Power MOSFET |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 4 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 9.5@15V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 150@600V |
Typical Rise Time (ns) | 6.5 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10.5 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 992 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.