RD3R05BBHTL1, MOSFETs RD3R05BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4434 шт., срок 5-7 недель
870 руб.
от 10 шт. —
690 руб.
от 25 шт. —
634 руб.
от 100 шт. —
491.42 руб.
1 шт.
на сумму 870 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. Pb free plating
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2788 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
