RD3P07BBHTL1, MOSFETs RD3P07BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.
![RD3P07BBHTL1, MOSFETs RD3P07BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching.](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC026220514.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3309 шт., срок 5-7 недель
840 руб.
от 10 шт. —
670 руб.
от 25 шт. —
615 руб.
от 100 шт. —
476.90 руб.
1 шт.
на сумму 840 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The ROHM power MOSFET with low-on resistance and high power package, suitable for switching. Pb free plating
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
Maximum Drain Source Voltage | 6 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-252 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2913 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.