GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D
![Фото 1/3 GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D](https://static.chipdip.ru/lib/607/DOC033607604.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/331/DOC032331924.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/066/DOC035066901.jpg)
29 шт. со склада г.Москва
5 190 руб.
от 5 шт. —
4 800 руб.
от 20 шт. —
4 720 руб.
1 шт.
на сумму 5 190 руб.
Плати частями
от 1 299 руб. × 4 платежа
от 1 299 руб. × 4 платежа
Описание
Силовые IGBTи SiC модули
Модуль IGBT 1700В 168A
Технические параметры
Макс.напр.к-э,В | 1700 |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.85В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.7кВ |
Continuous Collector Current | 168А |
DC Ток Коллектора | 168А |
Power Dissipation | 632Вт |
Выводы БТИЗ | Stud |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.7кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.85В |
Рассеиваемая Мощность | 632Вт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | Trench Field Stop |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.