IKA08N65H5, IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
![IKA08N65H5, IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN](https://static.chipdip.ru/lib/007/DOC007007328.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
1 шт.
на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 31.2 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IKA08N65H5XKSA1 SP001001722 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 10.8 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | TRENCHSTOP 5 H5 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 FP |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2263 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов