IKA08N65H5, IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN

IKA08N65H5, IKA08N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
1 шт. на сумму 300 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8022344453
Артикул: IKA08N65H5

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 31.2 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IKA08N65H5XKSA1 SP001001722
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 10.8 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP 5 H5
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3 FP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2263 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов