Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › Rohm › EMD62T2R, 80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased ...

EMD62T2R, 80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 150mW 100mA 50V 500nA SOT-563(SOT-666) Digital Transistors ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5600 шт., срок 6-8 недель

10 руб.

Кратность заказа 50 шт.

от 150 шт. — 9 руб.

от 500 шт. — 7.30 руб.

от 2500 шт. — 6.53 руб.

50 шт. на сумму 500 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8022387888

Артикул: EMD62T2R

Бренд: Rohm

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Complex Digital Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Выходное напряжение	50 mV, - 70 mV
Другие названия товара №	EMD62
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальная рабочая частота	250 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA, - 100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V, - 50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA, - 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA, - 100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Размер фабричной упаковки	8000
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	47 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	EMT-6
Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
Collector Emitter Voltage Max PNP	50В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	80hFE
Power Dissipation	150мВт
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Цифрового Транзистора	NPN и PNP
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-563