RQ6E045RPTR, 30V 4.5A 35m ё@4.5A,10V 950mW 2.5V@1mA P Channel SC-95 MOSFETs ROHS

RQ6E045RPTR, 30V 4.5A 35m ё@4.5A,10V 950mW 2.5V@1mA P Channel SC-95 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2970 шт., срок 6-8 недель
73 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.61 руб.
от 150 шт.56 руб.
от 500 шт.53.16 руб.
5 шт. на сумму 365 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8022393283
Артикул: RQ6E045RPTR
Бренд: Rohm

Описание

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 65 ns
Id - Continuous Drain Current: 4.5 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-457-6
Packaging: Reel, Cut Tape
Part # Aliases: RQ6E045RP
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 14 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 35 mOhms
Rise Time: 35 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 110 ns
Typical Turn-On Delay Time: 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RQ6E045RPTR
pdf, 1534 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.